《異質(zhì)結(jié)電池市場(chǎng)深度研究報(bào)告》——2020或?qū)⑹荋IT產(chǎn)業(yè)化元年？
光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，電池環(huán)節(jié)的技術(shù)仍在快速進(jìn)步與迭代。繼PERC快速推廣之后，N型電池開(kāi)始受到業(yè)內(nèi)越來(lái)越多的關(guān)注和認(rèn)可，在各類(lèi)N型電池中，異質(zhì)結(jié)電池（HIT）由于效率更高，在一些BOS成本高的市場(chǎng)已具備一定的經(jīng)濟(jì)性。當(dāng)前，業(yè)內(nèi)PERC規(guī)模適中的企業(yè)投入HIT意愿較強(qiáng)，部分企業(yè)已開(kāi)始中試或小批量投運(yùn)，而PERC規(guī)模較大的公司也在關(guān)注HIT進(jìn)展。目前主要參與方規(guī)劃HIT產(chǎn)能超過(guò)15GW，2020年將有4-7GW以上的產(chǎn)能投放，而2020年也被認(rèn)為是HIT的產(chǎn)業(yè)化元年。
基于此，OFweek產(chǎn)業(yè)研究院最新推出異質(zhì)結(jié)電池市場(chǎng)研究報(bào)告，為您提供異質(zhì)結(jié)電池領(lǐng)域全面專(zhuān)業(yè)、權(quán)威的咨詢(xún)服務(wù)，包括異質(zhì)結(jié)電池簡(jiǎn)介、技術(shù)現(xiàn)狀、突破難點(diǎn)、產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀、成本構(gòu)成及下降路徑等內(nèi)容，并對(duì)企業(yè)發(fā)展提供對(duì)策建議，為企業(yè)把握異質(zhì)結(jié)電池投資機(jī)遇提供重要參考。
晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池（HIT/HDT）
在晶體硅上沉積非晶硅薄膜，該工藝與普通的BSF電池技術(shù)相比，少了擴(kuò)散和蝕刻2個(gè)步驟；與當(dāng)紅的PERC工藝相比，少了4個(gè)步驟。雖然工藝流程大大簡(jiǎn)化，但對(duì)工藝的要求卻更為嚴(yán)苛，如潔凈度、真空度、溫度控制、鍍膜質(zhì)量等，比現(xiàn)有的電池技術(shù)要求都要高出一個(gè)量級(jí)。
技術(shù)特點(diǎn)和優(yōu)劣勢(shì)
異質(zhì)結(jié)電池具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝溫度低、鈍化效果好、開(kāi)路電壓高、溫度特性好、雙面發(fā)電等優(yōu)點(diǎn)，是高轉(zhuǎn)換效率硅基太陽(yáng)能電池的熱點(diǎn)方向之一。
異質(zhì)結(jié)電池的核心特點(diǎn)就是高開(kāi)路電壓，這來(lái)自于構(gòu)成其PN結(jié)的材料是不同種類(lèi)的，理論上就比同質(zhì)結(jié)電池的電壓要高。但其特殊的晶硅/非晶硅界面態(tài)鈍化，對(duì)設(shè)備、工藝、環(huán)境、操作水平等要求非常高。需要從非晶硅界面鈍化、TCO光吸收損失、金屬化電阻損耗三方面進(jìn)行努力，對(duì)應(yīng)的工藝流程為CVD、PVD、絲印三個(gè)步驟。這個(gè)三大難點(diǎn)克服，不僅僅是工藝的問(wèn)題，還涉及到設(shè)備和材料的配套和改進(jìn)。
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產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
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產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀
當(dāng)前全球HIT已有產(chǎn)能約3GW，但業(yè)內(nèi)新老參與者均多在密切關(guān)注HIT進(jìn)展， PERC規(guī)模適中的企業(yè)投入HIT意愿相對(duì)更強(qiáng)一些，參與方規(guī)劃HIT產(chǎn)能超過(guò)15GW，部分企業(yè)已開(kāi)始中試或小批量投運(yùn)，預(yù)計(jì)2020年將有4-7GW以上的HIT新增產(chǎn)能投放，一批標(biāo)桿企業(yè)與項(xiàng)目可能在年底到明年投運(yùn)，將進(jìn)一步提升行業(yè)對(duì)異質(zhì)結(jié)電池的信心，2020年可能是HIT的產(chǎn)業(yè)化元年。
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成本構(gòu)成及成本下降路徑
截至2018 年底，異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)成本約為1.22 元/W，主要包括，硅片成本（47.13%）、漿料成本（24.34%）、折舊（12.30%）、靶材（4.34%），以及其他材料、動(dòng)力、人工等。
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質(zhì)結(jié)電池的生產(chǎn)成本有望在未來(lái)的3-5 年內(nèi)降低至目前的50%左右，主要下降的手段包括：硅片薄片化降低硅片成本，銀漿用量減少及國(guó)產(chǎn)化降低漿料成本，單機(jī)生產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)能提高以及國(guó)產(chǎn)化降低折舊成本。
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